style="width:9.29337in;height:3.5266in" />基准面法线方向 本文是学习GB-T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、
检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
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件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向 X 射线测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
砷化镓单晶及切割片的牌号按照GB/T 14844
的规定进行表示。如有特殊要求，由供需双方协商
并在订货单(或合同)中注明。
4.2.1 砷化镓单晶按导电类型分为 n 型和 p 型。
4.2.2 砷化镓切割片按直径分为50.8 mm、63.5 mm、76.2 mm、82.0 mm
四种规格。
砷化镓单晶以近\<111>B 方向或(110)晶带上由\<111>B
向最远的\<100>方向偏转0°~15°生长，由供
GB/T 11094—2020
方工艺保证。如需其他生长方向的砷化镓单晶由供需双方协商确定。
砷化镓单晶的电学性能应符合表1的规定。
表 1 电学性能
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砷化镓单晶按位错密度分为2级，应符合表2的规定。
表 2 位错密度
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5.1.4.1 砷化镓单晶侧面如图1所示。砷化镓单晶截面为
D 形， 一端或两端应按需方要求的晶面切出
平整的基准面，如图2所示。
style="width:9.29337in;height:3.5266in" />基准面法线方向
基准面法线相反方向
说明：
B—— 基准面长度；
L— 砷化镓单晶长度；
T— 砷化镓单晶厚度；
β— 基准面法线与生长方向夹角。
图 1 砷化镓单晶侧面示意图
GB/T 11094—2020
style="width:3.96008in;height:3.35324in" />
说明：
D—— 基准面宽度；
B— 基准面长度。
图 2 砷化镓单晶基准面示意图
5.1.4.2 切割φ50.8 mm、φ63.5 mm、φ76.2 mm、φ82.0
mm 圆形切割片的砷化镓单晶的外形尺寸应符
合表3的规定。砷化镓单晶厚度应均匀，单晶厚度变化应不大于2 mm。
表 3 外形尺寸
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砷化镓单晶表面不应有气孔、裂纹、明显的小坑和孪晶线。
砷化镓切割片的电学性能、位错密度应符合5.1.2、5.1.3的规定，由供方保证。如有特殊要求，由供
需双方协商并在订货单(或合同)中注明。
砷化镓切割片的直径为50.8 mm、63.5
mm、76.2mm、82.0mm,直径的允许偏差均为+0.5 mm。
GB/T 11094—2020
砷化镓切割片的厚度为170μm～650μm, 厚度的允许偏差为15μm～30μm。
常见的切割片厚度
及允许偏差为210μm±20μm、280μm±20μm、320μm±20μm、350μm±15μm、420μm±15μm。
砷化镓切割片的晶向偏离及其允许偏差应符合表4的规定。如有特殊要求，由供需双方协商并在
订货单(或合同)中注明。
表 4 晶向偏离及允许偏差
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5.2.5.1 砷化镓切割片的参考面取向应符合表5的规定。
表 5 参考面取向
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GB/T 11094—2020
KOH 蚀坑
(010)
(110)
(0lī)
(111)
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(001) |
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(101)
(011)
晶片表面上的 腐蚀槽剖面图
(111) Ga
(101)
(001)
(ii)
As
(0i1)
(uii)
Ga
(līo)
(010)
(011)
(100)
(011)
(011)
图 3 主参考面垂直于 V 型槽的参考面取向示意图
(cīī)
(00ī)
(010)
(110)
(01i)
(1i)
As
(110)
(1ī1) \|
As
(101)
(0ī1)
(001)
(011)
(100)
(011)
(oii)
图 4 主参考面垂直于燕尾槽的参考面取向示意图
5
GB/T 11094—2020
5.2.5.2
砷化镓切割片的参考面长度及其允许偏差应符合表6的规定。
表 6 参考面长度及允许偏差
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砷化镓切割片表面应平整，不应有锯纹、裂纹、崩边、沾污、孪晶线等。
6.1 砷化镓单晶生长方向的测试按GB/T 1555 的规定进行。
6.2 砷化镓单晶电学性能的测试按GB/T 4326 的规定进行。
6.3 砷化镓单晶位错密度的测试按GB/T 8760 的规定进行。
6.4 砷化镓单晶外形尺寸的测量用分度值不大于0.02 mm
的游标卡尺测量，其中基准面法线与生长方
向夹角β通过测量砷化镓单晶长度L 与厚度后计算得出。
6.5 砷化镓单晶表面质量的检查在良好照明下目视进行。
6.6 砷化镓切割片直径的测量用分度值不大于0.02 mm 的游标卡尺进行。
6.7 砷化镓切割片厚度的测量用分度值为0.001 mm 的千分尺进行。
6.8 砷化镓切割片晶向偏离的测试按GB/T1555 的规定进行。
6.9 砷化镓切割片参考面取向的测试按GB/T 13388 的规定进行。
6.10 砷化镓切割片参考面长度的测量用分度值不大于0.02 mm 的游标卡尺进行。
6.11 砷化镓切割片表面质量的检查在良好照明下目视进行。
7.1.1
产品应由供方质量检验部门进行检验，保证产品质量符合本标准规定，并填写产品质量证明书。
7.1.2
需方应对收到的产品按照本标准的规定进行检验。检验结果与本标准、订货单(或合同)的规定
不符时，应以书面形式向供方提出，由供需双方协商解决。对外形尺寸、表面质量有异议时，应在收到产
品之日起一个月内提出，属于其他性能的异议，应在收到产品之日起三个月内提出。如需仲裁，仲裁取
样应由供需双方共同进行。
产品应成批提交检验。对于砷化镓单晶，每批应由相同牌号、相同电学性能范围、相同位错密度级
GB/T 11094—2020
别、相同外形尺寸的砷化镓单晶组成；对于砷化镓切割片，每批应由同一根砷化镓单晶加工成的相同直
径、相同厚度的砷化镓切割片组成。
每批产品的检验项目及取样应符合表7的规定。
表 7 检验项目及取样
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7.4.1.1
砷化镓单晶电学性能、位错密度的任一项检验结果不合格时，允许再次取样对不合格项目进行
重复检验，若重复检验结果仍不合格，允许再次取样直到砷化镓单晶长度小于本标准规定的尺寸为止。
最后一次检验不合格，判该根砷化镓单晶不合格。
7.4.1.2
砷化镓单晶外形尺寸、表面质量的任一项检验结果不合格时，判该根砷化镓单晶不合格。
7.4.2.1
砷化镓切割片的直径、厚度、晶向偏离、参考面取向和参考面长度的接收质量限由供需双方
协商。
7.4.2.2
砷化镓切割片的表面质量检验结果不合格时，判该片切割片不合格。
8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
8.1.1 砷化镓单晶表面贴上标签，注明单晶牌号。
8.1.2 砷化镓切割片的包装袋外注明牌号以及切割片的片号。
8.1.3 产品外包装箱上应注明：
a) 供方名称、地址、电话、传真；
GB/T 11094—2020
b) 需方名称、地址、电话、传真；
c) 产品名称；
d) "小心轻放""防潮"等字样和标志。
8.2.1
将做好标志的砷化镓单晶用海绵包裹，然后用透明胶带捆扎，装入包装纸箱内，箱内垫衬软性材
料，以防损伤。
8.2.2
每一片砷化镓切割片放入一个纸质包装袋中，然后放入塑料包装盒中，每10个～30个纸袋装一
盒，包装盒的底部和表面垫衬软性材料，然后用胶带将包装盒扎紧。将装有砷化镓切割片的塑料包装
盒，装入包装纸箱中，箱内垫衬软性材料，以防损伤。
产品在运输过程中应防止碰撞、受潮和化学腐蚀。
产品应存放在干燥、无腐蚀性气氛中。
每批产品应附有质量证明书，其上注明：
a) 供方名称、地址、电话、传真；
b) 产品名称；
c) 产品牌号；
d) 规格；
e) 批号和件数；
f) 产品净重或数量；
g) 各项分析检验结果和质量检验部门印记；
h) 本标准编号；
i) 出厂日期(或包装日期)。
9.1 订购砷化镓单晶的订货单(或合同)应包括以下内容：
a) 产品名称；
b) 牌号及掺杂剂；
c) 载流子浓度范围；
d) 位错密度范围；
e) 外形尺寸；
f) 重量或长度；
g) 本标准编号；
h) 其他。
9.2 订购砷化镓切割片的订货单(或合同)应包括以下内容：
GB/T 11094—2020
a) 产品名称；
b) 牌 号 ；
c) 载流子浓度范围；
d) 位错密度范围；
e) 几何尺寸、晶向偏离、参考面取向及长度；
f) 片数；
g) 本标准编号；
h) 其他。
更多内容 可以 GB-T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片. 进一步学习
