本文是学习GB-T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了水平法砷化镓单晶(以下简称砷化镓单晶)及切割片的牌号及分类、要求、试验方法、
检验规则、标志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于光电器件、传感元件等用的砷化镓单晶及切割片。
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件。凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 2828.1—2012 计数抽样检验程序 第1部分:按接收质量限(AQL)
检索的逐批检验抽样
计划
GB/T 4326 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
GB/T 8760 砷化镓单晶位错密度的测量方法
GB/T 13388 硅片参考面结晶学取向 X 射线测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
砷化镓单晶及切割片的牌号按照GB/T 14844
的规定进行表示。如有特殊要求,由供需双方协商
并在订货单(或合同)中注明。
4.2.1 砷化镓单晶按导电类型分为 n 型和 p 型。
4.2.2 砷化镓切割片按直径分为50.8 mm、63.5 mm、76.2 mm、82.0 mm
四种规格。
砷化镓单晶以近\<111>B 方向或(110)晶带上由\<111>B
向最远的\<100>方向偏转0°~15°生长,由供
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方工艺保证。如需其他生长方向的砷化镓单晶由供需双方协商确定。
砷化镓单晶的电学性能应符合表1的规定。
表 1 电学性能
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砷化镓单晶按位错密度分为2级,应符合表2的规定。
表 2 位错密度
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5.1.4.1 砷化镓单晶侧面如图1所示。砷化镓单晶截面为
D 形, 一端或两端应按需方要求的晶面切出
平整的基准面,如图2所示。
style="width:9.29337in;height:3.5266in" />基准面法线方向
基准面法线相反方向
说明:
B—— 基准面长度;
L— 砷化镓单晶长度;
T— 砷化镓单晶厚度;
β— 基准面法线与生长方向夹角。
图 1 砷化镓单晶侧面示意图
GB/T 11094—2020
style="width:3.96008in;height:3.35324in" />
说明:
D—— 基准面宽度;
B— 基准面长度。
图 2 砷化镓单晶基准面示意图
5.1.4.2 切割φ50.8 mm、φ63.5 mm、φ76.2 mm、φ82.0
mm 圆形切割片的砷化镓单晶的外形尺寸应符
合表3的规定。砷化镓单晶厚度应均匀,单晶厚度变化应不大于2 mm。
表 3 外形尺寸
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砷化镓单晶表面不应有气孔、裂纹、明显的小坑和孪晶线。
砷化镓切割片的电学性能、位错密度应符合5.1.2、5.1.3的规定,由供方保证。如有特殊要求,由供
需双方协商并在订货单(或合同)中注明。
砷化镓切割片的直径为50.8 mm、63.5
mm、76.2mm、82.0mm,直径的允许偏差均为+0.5 mm。
GB/T 11094—2020
砷化镓切割片的厚度为170μm~650μm, 厚度的允许偏差为15μm~30μm。
常见的切割片厚度
及允许偏差为210μm±20μm、280μm±20μm、320μm±20μm、350μm±15μm、420μm±15μm。
砷化镓切割片的晶向偏离及其允许偏差应符合表4的规定。如有特殊要求,由供需双方协商并在
订货单(或合同)中注明。
表 4 晶向偏离及允许偏差
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5.2.5.1 砷化镓切割片的参考面取向应符合表5的规定。
表 5 参考面取向
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KOH 蚀坑
(010)
(110)
(0lī)
(111) |
(001) |
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(101)
(011)
晶片表面上的 腐蚀槽剖面图
(111) Ga
(101)
(001)
(ii)
As
(0i1)
(uii)
Ga
(līo)
(010)
(011)
(100)
(011)
(011)
图 3 主参考面垂直于 V 型槽的参考面取向示意图
(cīī)
(00ī)
(010)
(110)
(01i)
(1i)
As
(110)
(1ī1) \|
As
(101)
(0ī1)
(001)
(011)
(100)
(011)
(oii)
图 4 主参考面垂直于燕尾槽的参考面取向示意图
5
GB/T 11094—2020
5.2.5.2
砷化镓切割片的参考面长度及其允许偏差应符合表6的规定。
表 6 参考面长度及允许偏差
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砷化镓切割片表面应平整,不应有锯纹、裂纹、崩边、沾污、孪晶线等。
6.1 砷化镓单晶生长方向的测试按GB/T 1555 的规定进行。
6.2 砷化镓单晶电学性能的测试按GB/T 4326 的规定进行。
6.3 砷化镓单晶位错密度的测试按GB/T 8760 的规定进行。
6.4 砷化镓单晶外形尺寸的测量用分度值不大于0.02 mm
的游标卡尺测量,其中基准面法线与生长方
向夹角β通过测量砷化镓单晶长度L 与厚度后计算得出。
6.5 砷化镓单晶表面质量的检查在良好照明下目视进行。
6.6 砷化镓切割片直径的测量用分度值不大于0.02 mm 的游标卡尺进行。
6.7 砷化镓切割片厚度的测量用分度值为0.001 mm 的千分尺进行。
6.8 砷化镓切割片晶向偏离的测试按GB/T1555 的规定进行。
6.9 砷化镓切割片参考面取向的测试按GB/T 13388 的规定进行。
6.10 砷化镓切割片参考面长度的测量用分度值不大于0.02 mm 的游标卡尺进行。
6.11 砷化镓切割片表面质量的检查在良好照明下目视进行。
7.1.1
产品应由供方质量检验部门进行检验,保证产品质量符合本标准规定,并填写产品质量证明书。
7.1.2
需方应对收到的产品按照本标准的规定进行检验。检验结果与本标准、订货单(或合同)的规定
不符时,应以书面形式向供方提出,由供需双方协商解决。对外形尺寸、表面质量有异议时,应在收到产
品之日起一个月内提出,属于其他性能的异议,应在收到产品之日起三个月内提出。如需仲裁,仲裁取
样应由供需双方共同进行。
产品应成批提交检验。对于砷化镓单晶,每批应由相同牌号、相同电学性能范围、相同位错密度级
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别、相同外形尺寸的砷化镓单晶组成;对于砷化镓切割片,每批应由同一根砷化镓单晶加工成的相同直
径、相同厚度的砷化镓切割片组成。
每批产品的检验项目及取样应符合表7的规定。
表 7 检验项目及取样
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7.4.1.1
砷化镓单晶电学性能、位错密度的任一项检验结果不合格时,允许再次取样对不合格项目进行
重复检验,若重复检验结果仍不合格,允许再次取样直到砷化镓单晶长度小于本标准规定的尺寸为止。
最后一次检验不合格,判该根砷化镓单晶不合格。
7.4.1.2
砷化镓单晶外形尺寸、表面质量的任一项检验结果不合格时,判该根砷化镓单晶不合格。
7.4.2.1
砷化镓切割片的直径、厚度、晶向偏离、参考面取向和参考面长度的接收质量限由供需双方
协商。
7.4.2.2
砷化镓切割片的表面质量检验结果不合格时,判该片切割片不合格。
8 标志、包装、运输、贮存和质量证明书
8.1.1 砷化镓单晶表面贴上标签,注明单晶牌号。
8.1.2 砷化镓切割片的包装袋外注明牌号以及切割片的片号。
8.1.3 产品外包装箱上应注明:
a) 供方名称、地址、电话、传真;
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b) 需方名称、地址、电话、传真;
c) 产品名称;
d) "小心轻放""防潮"等字样和标志。
8.2.1
将做好标志的砷化镓单晶用海绵包裹,然后用透明胶带捆扎,装入包装纸箱内,箱内垫衬软性材
料,以防损伤。
8.2.2
每一片砷化镓切割片放入一个纸质包装袋中,然后放入塑料包装盒中,每10个~30个纸袋装一
盒,包装盒的底部和表面垫衬软性材料,然后用胶带将包装盒扎紧。将装有砷化镓切割片的塑料包装
盒,装入包装纸箱中,箱内垫衬软性材料,以防损伤。
产品在运输过程中应防止碰撞、受潮和化学腐蚀。
产品应存放在干燥、无腐蚀性气氛中。
每批产品应附有质量证明书,其上注明:
a) 供方名称、地址、电话、传真;
b) 产品名称;
c) 产品牌号;
d) 规格;
e) 批号和件数;
f) 产品净重或数量;
g) 各项分析检验结果和质量检验部门印记;
h) 本标准编号;
i) 出厂日期(或包装日期)。
9.1 订购砷化镓单晶的订货单(或合同)应包括以下内容:
a) 产品名称;
b) 牌号及掺杂剂;
c) 载流子浓度范围;
d) 位错密度范围;
e) 外形尺寸;
f) 重量或长度;
g) 本标准编号;
h) 其他。
9.2 订购砷化镓切割片的订货单(或合同)应包括以下内容:
GB/T 11094—2020
a) 产品名称;
b) 牌 号 ;
c) 载流子浓度范围;
d) 位错密度范围;
e) 几何尺寸、晶向偏离、参考面取向及长度;
f) 片数;
g) 本标准编号;
h) 其他。
更多内容 可以 GB-T 11094-2020 水平法砷化镓单晶及切割片. 进一步学习